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  • 半橋LLC電路中MOS管空載電壓尖峰的改善介紹
    • 發(fā)布時間:2024-08-07 19:02:20
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    半橋LLC電路中MOS管空載電壓尖峰的改善介紹
    半橋電路在空載和輕載下采用不對稱發(fā)波方式,空載時,上管的占空比很小,甚至為0(下管和其互補),這樣LLC電路的下面的諧振電容電壓很低,導(dǎo)致下面的功率管導(dǎo)通時,流過諧振電感的電流不能反向,如圖15所示,在下管關(guān)斷后下管體二極管續(xù)流時,開通了上管,導(dǎo)致“瞬時直通”,直通電流被二極管強迫恢復(fù)關(guān)斷,在線路寄生電感上造成壓降,疊加在處于關(guān)斷態(tài)的下管。圖中的圓圈2,表明反向恢復(fù)態(tài)也存在直通可能,但電壓尖峰主要是圓圈1產(chǎn)生的。
    半橋LLC電路 MOS管空載電壓尖峰
    “瞬時直通”主要的原因是功率管漏源電容瞬時充放電,反向二極管的反向恢復(fù),減少功率管電壓尖峰可以采用漏源電容更小和恢復(fù)特性更好的功率管,可以在體二極管硬關(guān)斷時,更快消除直通電流,減少電壓尖峰。另一方面,如果減少上下管的導(dǎo)通死區(qū)時間,讓下管關(guān)斷后,二極管沒有完全導(dǎo)通時就開通上管,減少反向恢復(fù)電流(電流通過功率管本體然后功率管關(guān)斷比電流流過反向二極管后關(guān)斷的反向恢復(fù)電流要?。部梢缘竭_降低電壓尖峰的目的。
    圖15 空載上下管Vds和下管電流(1A/Div.)
    (圖15中,電流正方向從下管D極流進,“瞬時直通”前,電流為負(SgD),表明上管開通時,下管確實處于續(xù)流。)
    如下圖所示,死區(qū)時間190nS和120nS時,用帶統(tǒng)計功能的示波器TEKTRONIX754測試大約15分鐘,空載時下管的電壓尖峰如下圖。
    半橋LLC電路 MOS管空載電壓尖峰
    圖16 死區(qū)190nS時的下管電壓尖峰
    半橋LLC電路 MOS管空載電壓尖峰
    圖17 死區(qū)120nS時的下管電壓尖峰
    半橋LLC電路 MOS管空載電壓尖峰
    圖18 死區(qū)120nS時的上管電壓尖峰
    從測試結(jié)果看,死區(qū)時間減少到120nS,下管的電壓尖峰會從620V下降到496V,滿足540V的降額。
    模塊如果工作在的在ZVS狀態(tài),死區(qū)時間對模塊的功率管電壓應(yīng)力不會有影響,而如果模塊工作在非ZVS狀態(tài),功率管和輸出二極管的電壓應(yīng)力以空載時最大,所以如果由于死區(qū)的改變導(dǎo)致功率管的ZVS狀態(tài)發(fā)現(xiàn)變化,同時也需要主要DC/DC輸出二極管的電壓應(yīng)力。
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