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  • MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用介紹
    • 發(fā)布時(shí)間:2024-07-26 19:07:36
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    MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用介紹
    在電源電路中,功率MOS管的G極經(jīng)常會串聯(lián)一個(gè)小電阻,幾歐姆到幾十歐姆不等,那么這個(gè)電阻用什么作用呢?
    MOS管G極串聯(lián)小電阻
    如上圖開關(guān)電源,G串聯(lián)電阻R13
    這個(gè)電阻的作用有2個(gè)作用:限制G極電流,抑制振蕩。
    限制G極電流
    MOS管是由電壓驅(qū)動的,是以G級電流很小,但是因?yàn)榧纳娙莸拇嬖冢贛OS管打開或關(guān)閉的時(shí)候,因?yàn)橐獙﹄娙葸M(jìn)行充電,所有瞬間電流還是比較大的。特別是在開關(guān)電源中,MOS管頻繁的開啟和關(guān)閉,那么就要更要考慮這個(gè)帶來的影響了。
    MOS管G極串聯(lián)小電阻
    如上圖,MOS管的寄生電容有三個(gè),Cgs,Cgd,Cds
    一般在MOS管規(guī)格書中,一般會標(biāo)下面三個(gè)參數(shù):Ciss,Coss,Crss,他們與寄生電容的關(guān)系如下:
    Ciss=Cgs+Cgd
    Coss=Cds+Cgd
    Crss=Cgd
    如以MOS管FDS2582為例:
    MOS管G極串聯(lián)小電阻
    Ciss=1290pF,可以看到,這個(gè)寄生電容是很可觀的。
    簡單估算一下,假設(shè)Vgs=10V,dt=Tr(上升時(shí)間)=20ns ,Ciss=1290pF,那么可得G極在開關(guān)時(shí)的瞬間電流I=Ciss*dVgs/dt =0.6A。
    在基極串聯(lián)一個(gè)電阻,與Ciss形成一個(gè)RC充放電電路,可以減小瞬間電流值,不至于損毀MOS管的驅(qū)動芯片。
    因?yàn)樵黾拥倪@個(gè)電阻,會減緩MOS管的開啟與通斷時(shí)間,增加損耗,所以不能接太大。這也是為什么電阻是幾歐姆或者幾十歐姆的原因所在。
    抑制振蕩
    MOS管G極串聯(lián)小電阻
    MOS管接入電路,也會有引線產(chǎn)生的寄生電感的存在,與寄生電容一起,形成LC振蕩電路。對于開關(guān)方波波形,是有很多頻率成分存在的,那么很可能與諧振頻率相同或者相近,形成串聯(lián)諧振電路。
    串聯(lián)一個(gè)電阻,可以減小振蕩電路的Q值,是振蕩快速衰減,不至于引起電路故障。
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