1.場(chǎng)效應(yīng)管和三極管輸入電阻的差異。
2.場(chǎng)效應(yīng)管是單極三極管是雙極區(qū)別之外。
3.解決問(wèn)題方面： 場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流源，控制電壓和電流屬于不同的支路，因而電壓的求解一般不難（有時(shí)是與受控電流有關(guān)的表達(dá)式，課本129頁(yè)3－6），進(jìn)而根據(jù)漏極電流表達(dá)式來(lái)求出電流值，然后進(jìn)行模型分析，求出跨導(dǎo)和輸出電阻。 而三極管要先建立模型，然后進(jìn)行電路分析，求解過(guò)程特別是計(jì)算很復(fù)雜，容易出錯(cuò)； 總體而言，我覺(jué)得場(chǎng)效應(yīng)管的分析要比三極管簡(jiǎn)單一些。
4.極管和場(chǎng)效應(yīng)管的比較可以歸納以下幾點(diǎn)： 一、在三極管中，空穴和自由電子都參與導(dǎo)電，稱(chēng)為雙極型器件，用BJT表示；而場(chǎng)效應(yīng)管只有多子導(dǎo)電，稱(chēng)為單極型器件，用FET表示。由于多子濃度不受外界溫度、光照、輻射的影響，在環(huán)境變化劇烈的條件下，選用FET比較合適。 這也就是我們通常所說(shuō)的場(chǎng)效應(yīng)管比較穩(wěn)定的原因。 二、在放大狀態(tài)工作時(shí)，三極管發(fā)射結(jié)正偏，有基極電流，為電流控制器件，相應(yīng)的輸入電阻較小，約103Ω；FET在放大狀態(tài)工作時(shí)無(wú)柵極電流，為電壓控制器件，輸入電阻很大，JFET的輸入電阻大于107Ω，MOS管的輸入電阻大于109Ω。 三、場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上對(duì)稱(chēng)，可以互換使用(但應(yīng)注意，有時(shí)廠(chǎng)家已將MOS管的源極與襯底在管內(nèi)已經(jīng)短接，使用時(shí)就不能互換)。對(duì)耗盡型MOS管的VGS可正、可負(fù)、可為零，使用時(shí)比較靈活。三極管的集電極和發(fā)射極一般不能互換使用。 四、在低電壓小電流狀態(tài)下工作時(shí)，F(xiàn)ET可作為壓控可變線(xiàn)性電阻器和導(dǎo)通電阻很小的無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)。 五、MOS管工藝簡(jiǎn)單，功耗小，適合于大規(guī)模集成。三極管的增益高，非線(xiàn)性失真小，性能穩(wěn)定。在分立元件電路和中、小規(guī)模集成電路中，三極管仍占優(yōu)勢(shì)。 六、三極管的轉(zhuǎn)移特性(ic-vbe的關(guān)系)按指數(shù)規(guī)律變化，場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性按平方規(guī)律變化，因此場(chǎng)效應(yīng)管的非線(xiàn)性失真比三極管的非線(xiàn)性失真大。七、場(chǎng)效應(yīng)管的三種基本組態(tài)電路(共源、共漏和共柵)可以對(duì)照三極管的共發(fā)、共集和共基電路，由于場(chǎng)效應(yīng)管的柵極無(wú)電流，所以輸入電阻R'i≈∞。跨導(dǎo)gm比三極管的小一個(gè)數(shù)量級(jí)，gm我們可以用轉(zhuǎn)移特性求導(dǎo)得到
5.三極管可以說(shuō)是電流控制電流源的器件，而電流是通過(guò)輸入電阻的大小來(lái)體現(xiàn)的；但場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流源的器件
6.記住四種mos管的特性曲線(xiàn)的方法：只需記住n溝道的emos管的曲線(xiàn)，它的Ｖgs是大于０的，且曲線(xiàn)呈遞增趨勢(shì)．而p溝道的emos的Ｖgs是小于０的，且呈現(xiàn)遞減趨勢(shì)．dmos的Ｖgs既有大于０的部分，又有小于０的部分，按照n溝道遞增，p溝道遞減的曲線(xiàn)特征就可以將dmos的特性曲線(xiàn)記住了
7.1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而三級(jí)管是電流控制元件；
2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)為單極性器件，而三級(jí)管既有多子，也有少子導(dǎo)電，稱(chēng)之為雙極性器件；
3）場(chǎng)效應(yīng)管靈活性比三級(jí)管好；
4）場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝更適合于集成電路。
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